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      作為領先的MOSFET分立器件設計與供應商,新潔能致力于推廣性能卓越、質量穩定并且極具價格競爭力的全系列MOSFET產品。我們為電路設計師們提供全面的產品選擇,擊穿電壓覆蓋-200V至300V,配合最先進的封裝技術,為您提供100mA至400A的電流選擇范圍。我們專注于持續改進MOSFET在電能轉換過程中的系統效率和功率密度以及在苛刻環境下開關過程中的抗沖擊雪崩耐量,實現快速、平穩、高效的電源管理及電能轉換。

        通過采用最先進的溝槽柵工藝技術和電流通路布局結構,新潔能MOSFET實現了功率密度最大化,從而大幅度降低電流傳導過程中的導通損耗。同時,電流在芯片元胞當中的流通會更加均勻穩定;應對于高頻率的開關應用,我們為設計師們提供低開關損耗的系列產品(產品名稱后加標C),其有效降低了柵極電荷(Qg),尤其是柵極漏極間的電荷(Qgd),從而在快速開關過程中降低開關功率損耗。通過采用這些先進的技術手段,MOSFET的FOM(品質因子(Qg*Rdson))得以實現行業內的領先水平。

        應對于半橋/全橋、AC/DC電源的同步整流以及其它需要反向續流的應用終端,我們的MOSFET著重優化了BodyDiode,在提高和加快反向續流能力的同時,降低反向恢復過程中的峰值電流(Irm)和電壓(Vrm)。

        新潔能結合最先進的封裝技術將MOSFET功率、電流和可靠性提升至新的高度,我們推出TO-220H封裝外形(產品名稱后加標H),有效地增加了用戶在電路板裝配MOSFET的工作效率,并降低了成本。

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